Toshiba Semiconductor and Storage TK31V60X,LQ MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

TK31V60X,LQ

MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN

حصے کا نمبر

TK31V60X,LQ

مینوفیکچرر/برانڈ

Toshiba Semiconductor and Storage

سلسلہ

DTMOSIV-H

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

4-VSFN Exposed Pad

سپلائر ڈیوائس پیکیج

4-DFN-EP (8x8)

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

240W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

Super Junction

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

600V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

30.8A (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

98 mOhm @ 9.4A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

3.5V @ 1.5mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

65nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

3000pF @ 300V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±30V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ chen_hx1688@hotmail.com، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 16054 PCS

رابطے کی معلومات