Toshiba Semiconductor and Storage TK14E65W,S1X MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

TK14E65W,S1X

MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220

حصے کا نمبر

TK14E65W,S1X

مینوفیکچرر/برانڈ

Toshiba Semiconductor and Storage

سلسلہ

DTMOSIV

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-220-3

سپلائر ڈیوائس پیکیج

TO-220

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

130W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

650V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

13.7A (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

250 mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

3.5V @ 690µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

35nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

1300pF @ 300V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±30V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 50989 PCS

رابطے کی معلومات