Toshiba Semiconductor and Storage TK10V60W,LVQ MOSFET N-CH 600V 9.7A 5DFN

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

TK10V60W,LVQ

MOSFET N-CH 600V 9.7A 5DFN

حصے کا نمبر

TK10V60W,LVQ

مینوفیکچرر/برانڈ

Toshiba Semiconductor and Storage

سلسلہ

DTMOSIV

حصہ کی حیثیت

Discontinued at Digi-Key

پیکیجنگ

Digi-Reel®

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

4-VSFN Exposed Pad

سپلائر ڈیوائس پیکیج

4-DFN-EP (8x8)

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

88.3W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

Super Junction

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

600V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

9.7A (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

380 mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

3.7V @ 500µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

20nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

700pF @ 300V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±30V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 42086 PCS

رابطے کی معلومات