Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N58NU,LF MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

SSM6N58NU,LF

MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6

حصے کا نمبر

SSM6N58NU,LF

مینوفیکچرر/برانڈ

Toshiba Semiconductor and Storage

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Digi-Reel®

آپریٹنگ درجہ حرارت

150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

6-WDFN Exposed Pad

پاور - زیادہ سے زیادہ

سپلائر ڈیوائس پیکیج

6-UDFN (2x2)

FET قسم

2 N-Channel (Dual)

FET کی خصوصیت

Logic Level Gate, 1.8V Drive

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

30V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

84 mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1V @ 1mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

1.8nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

129pF @ 15V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 52288 PCS

رابطے کی معلومات