Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N56FE,LM MOSFET 2N-CH 20V 0.8A

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

SSM6N56FE,LM

MOSFET 2N-CH 20V 0.8A

حصے کا نمبر

SSM6N56FE,LM

مینوفیکچرر/برانڈ

Toshiba Semiconductor and Storage

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Digi-Reel®

آپریٹنگ درجہ حرارت

150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

SOT-563, SOT-666

پاور - زیادہ سے زیادہ

150mW

سپلائر ڈیوائس پیکیج

ES6

FET قسم

2 N-Channel (Dual)

FET کی خصوصیت

Logic Level Gate, 1.5V Drive

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

20V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

800mA

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

235 mOhm @ 800mA, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1V @ 1mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

1nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

55pF @ 10V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 15141 PCS

رابطے کی معلومات