Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N35FE,LM MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

SSM6N35FE,LM

MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6

حصے کا نمبر

SSM6N35FE,LM

مینوفیکچرر/برانڈ

Toshiba Semiconductor and Storage

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Cut Tape (CT)

آپریٹنگ درجہ حرارت

150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

SOT-563, SOT-666

پاور - زیادہ سے زیادہ

150mW

سپلائر ڈیوائس پیکیج

ES6 (1.6x1.6)

FET قسم

2 N-Channel (Dual)

FET کی خصوصیت

Logic Level Gate

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

20V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

180mA

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

3 Ohm @ 50mA, 4V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1V @ 1mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

9.5pF @ 3V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 13335 PCS

رابطے کی معلومات