Taiwan Semiconductor Corporation TSM680P06DPQ56 RLG MOSFET 2 P-CH 60V 12A 8PDFN

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

TSM680P06DPQ56 RLG

MOSFET 2 P-CH 60V 12A 8PDFN

حصے کا نمبر

TSM680P06DPQ56 RLG

مینوفیکچرر/برانڈ

Taiwan Semiconductor Corporation

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Cut Tape (CT)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-PowerTDFN

پاور - زیادہ سے زیادہ

3.5W

سپلائر ڈیوائس پیکیج

8-PDFN (5x6)

FET قسم

2 P-Channel (Dual)

FET کی خصوصیت

Standard

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

60V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

12A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

68 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2.5V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

16.4nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

870pF @ 30V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 25807 PCS

رابطے کی معلومات