Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B8V2-G RHG DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

BZT52B8V2-G RHG

DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123

حصے کا نمبر

BZT52B8V2-G RHG

مینوفیکچرر/برانڈ

Taiwan Semiconductor Corporation

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

رواداری

±2%

پیکیج / کیس

SOD-123

پاور - زیادہ سے زیادہ

410mW

سپلائر ڈیوائس پیکیج

SOD-123

وولٹیج - فارورڈ (Vf) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر

900mV @ 10mA

کرنٹ - ریورس لیکیج @ Vr

700nA @ 5V

وولٹیج - Zener (Nom) (Vz)

8.2V

رکاوٹ (زیادہ سے زیادہ) (Zzt)

15 Ohms

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 17776 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

BZT52-B10J

DIODE ZENER 10V 590MW SOD123