NXP USA Inc. PMWD26UN,518 MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

PMWD26UN,518

MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP

حصے کا نمبر

PMWD26UN,518

مینوفیکچرر/برانڈ

NXP USA Inc.

سلسلہ

TrenchMOS™

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Digi-Reel®

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

پاور - زیادہ سے زیادہ

3.1W

سپلائر ڈیوائس پیکیج

8-TSSOP

FET قسم

2 N-Channel (Dual)

FET کی خصوصیت

Logic Level Gate

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

20V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

7.8A

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

30 mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

700mV @ 1mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

23.6nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

1366pF @ 16V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 51914 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

PMWD15UN,518

MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP