NXP USA Inc. PMPB12UN,115 MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

PMPB12UN,115

MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

حصے کا نمبر

PMPB12UN,115

مینوفیکچرر/برانڈ

NXP USA Inc.

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

6-UDFN Exposed Pad

سپلائر ڈیوائس پیکیج

6-DFN2020MD (2x2)

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

1.7W (Ta), 12.5W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

20V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

7.9A (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

18 mOhm @ 7.9A, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

13nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

886pF @ 10V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

1.8V, 4.5V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±8V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 34396 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

PMPB100ENEAX

PMPB100ENEA/SOT1220/SOT1220