Nexperia USA Inc. PMZB670UPE,315 MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

PMZB670UPE,315

MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3

حصے کا نمبر

PMZB670UPE,315

مینوفیکچرر/برانڈ

Nexperia USA Inc.

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Digi-Reel®

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

3-XFDFN

سپلائر ڈیوائس پیکیج

3-DFN1006B (0.6x1)

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

360mW (Ta), 2.7W (Tc)

FET قسم

P-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

20V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

680mA (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

850 mOhm @ 400mA, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1.3V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

1.14nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

87pF @ 10V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

1.8V, 4.5V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±8V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 15410 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

PMZB1200UPEYL

MOSFET P-CH 30V SOT883