Nexperia USA Inc. PMZB370UNE,315 MOSFET N-CH 30V 0.9A DFN1006B-3

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

PMZB370UNE,315

MOSFET N-CH 30V 0.9A DFN1006B-3

حصے کا نمبر

PMZB370UNE,315

مینوفیکچرر/برانڈ

Nexperia USA Inc.

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Digi-Reel®

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

3-XFDFN

سپلائر ڈیوائس پیکیج

3-DFN1006B (0.6x1)

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

360mW (Ta), 2.7W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

30V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

900mA (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

490 mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1.05V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

1.16nC @ 15V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

78pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

1.8V, 4.5V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±8V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 23224 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

PMZB1200UPEYL

MOSFET P-CH 30V SOT883