Nexperia USA Inc. PMPB27EP,115 MOSFET P-CH 30V 6.1A 6DFN

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

PMPB27EP,115

MOSFET P-CH 30V 6.1A 6DFN

حصے کا نمبر

PMPB27EP,115

مینوفیکچرر/برانڈ

Nexperia USA Inc.

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

6-UDFN Exposed Pad

سپلائر ڈیوائس پیکیج

6-DFN2020MD (2x2)

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

1.7W (Ta), 12.5W (Tc)

FET قسم

P-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

30V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

6.1A (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

29 mOhm @ 6.1A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2.5V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

45nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

1570pF @ 15V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

4.5V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 20029 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

PMPB100ENEAX

PMPB100ENEA/SOT1220/SOT1220