Nexperia USA Inc. PHT6NQ10T,135 MOSFET N-CH 100V 3A SOT223

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

PHT6NQ10T,135

MOSFET N-CH 100V 3A SOT223

حصے کا نمبر

PHT6NQ10T,135

مینوفیکچرر/برانڈ

Nexperia USA Inc.

سلسلہ

TrenchMOS™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Cut Tape (CT)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-65°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-261-4, TO-261AA

سپلائر ڈیوائس پیکیج

SOT-223

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

1.8W (Ta), 8.3W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

100V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

3A (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

90 mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4V @ 1mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

21nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

633pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 33367 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

PHT6N06LT,135

MOSFET N-CH 55V 2.5A SOT223