تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔
IXTH1N300P3HV

IXTH1N300P3HV

2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
حصے کا نمبر
IXTH1N300P3HV
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
-
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Through Hole
پیکیج / کیس
TO-247-3 Variant
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-247HV
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
195W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
3000V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
1A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
50 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
4V @ 250µA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
30.6nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
895pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±20V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 42509 PCS
رابطے کی معلومات
کے مطلوبہ الفاظ IXTH1N300P3HV
IXTH1N300P3HV الیکٹرانک اجزاء
IXTH1N300P3HV سیلز
IXTH1N300P3HV فراہم کنندہ
IXTH1N300P3HV فراہم کنندہ
IXTH1N300P3HV ڈیٹا ٹیبل
IXTH1N300P3HV تصاویر
IXTH1N300P3HV قیمت
IXTH1N300P3HV پیشکش
IXTH1N300P3HV کم ترین قیمت
IXTH1N300P3HV تلاش کریں۔
IXTH1N300P3HV خریداری
IXTH1N300P3HV Chip