IXTH1N170DHV
MOSFET N-CH
حصے کا نمبر
IXTH1N170DHV
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
-
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
-
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Through Hole
پیکیج / کیس
TO-247-3 Variant
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-247HV
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
290W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
Depletion Mode
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
1700V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
1A (Tj)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
16 Ohm @ 500mA, 0V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
4.5V @ 250µA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
47nC @ 5V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
3090pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
0V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±20V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 38002 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IXTH1N170DHV
IXTH1N170DHV الیکٹرانک اجزاء
IXTH1N170DHV سیلز
IXTH1N170DHV فراہم کنندہ
IXTH1N170DHV فراہم کنندہ
IXTH1N170DHV ڈیٹا ٹیبل
IXTH1N170DHV تصاویر
IXTH1N170DHV قیمت
IXTH1N170DHV پیشکش
IXTH1N170DHV کم ترین قیمت
IXTH1N170DHV تلاش کریں۔
IXTH1N170DHV خریداری
IXTH1N170DHV Chip