IXTH12N100
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
حصے کا نمبر
IXTH12N100
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
MegaMOS™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Through Hole
پیکیج / کیس
TO-247-3
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-247 (IXTH)
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
300W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
1000V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
12A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
1.05 Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
4.5V @ 250µA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
170nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
4000pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±20V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 43653 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IXTH12N100
IXTH12N100 الیکٹرانک اجزاء
IXTH12N100 سیلز
IXTH12N100 فراہم کنندہ
IXTH12N100 فراہم کنندہ
IXTH12N100 ڈیٹا ٹیبل
IXTH12N100 تصاویر
IXTH12N100 قیمت
IXTH12N100 پیشکش
IXTH12N100 کم ترین قیمت
IXTH12N100 تلاش کریں۔
IXTH12N100 خریداری
IXTH12N100 Chip