IXTA60N10T
MOSFET N-CH 100V 60A TO-263
حصے کا نمبر
IXTA60N10T
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
TrenchMV™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 175°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Surface Mount
پیکیج / کیس
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-263 (IXTA)
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
176W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
100V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
60A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
18 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
4.5V @ 50µA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
49nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
2650pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±30V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 36322 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IXTA60N10T
IXTA60N10T الیکٹرانک اجزاء
IXTA60N10T سیلز
IXTA60N10T فراہم کنندہ
IXTA60N10T فراہم کنندہ
IXTA60N10T ڈیٹا ٹیبل
IXTA60N10T تصاویر
IXTA60N10T قیمت
IXTA60N10T پیشکش
IXTA60N10T کم ترین قیمت
IXTA60N10T تلاش کریں۔
IXTA60N10T خریداری
IXTA60N10T Chip