IXTA2R4N120P
MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-263
حصے کا نمبر
IXTA2R4N120P
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
Polar™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Surface Mount
پیکیج / کیس
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-263 (IXTA)
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
125W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
1200V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
2.4A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
4.5V @ 250µA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
37nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
1207pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±20V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 23502 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IXTA2R4N120P
IXTA2R4N120P الیکٹرانک اجزاء
IXTA2R4N120P سیلز
IXTA2R4N120P فراہم کنندہ
IXTA2R4N120P فراہم کنندہ
IXTA2R4N120P ڈیٹا ٹیبل
IXTA2R4N120P تصاویر
IXTA2R4N120P قیمت
IXTA2R4N120P پیشکش
IXTA2R4N120P کم ترین قیمت
IXTA2R4N120P تلاش کریں۔
IXTA2R4N120P خریداری
IXTA2R4N120P Chip