IXTA08N100P
MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263
حصے کا نمبر
IXTA08N100P
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
Polar™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Surface Mount
پیکیج / کیس
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-263 (IXTA)
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
42W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
1000V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
800mA (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
20 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
4V @ 50µA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
11.3nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
240pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±20V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 44163 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IXTA08N100P
IXTA08N100P الیکٹرانک اجزاء
IXTA08N100P سیلز
IXTA08N100P فراہم کنندہ
IXTA08N100P فراہم کنندہ
IXTA08N100P ڈیٹا ٹیبل
IXTA08N100P تصاویر
IXTA08N100P قیمت
IXTA08N100P پیشکش
IXTA08N100P کم ترین قیمت
IXTA08N100P تلاش کریں۔
IXTA08N100P خریداری
IXTA08N100P Chip