IXFR20N120P
MOSFET N-CH 1200V 13A ISOPLUS247
حصے کا نمبر
IXFR20N120P
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
HiPerFET™, PolarP2™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Through Hole
پیکیج / کیس
ISOPLUS247™
سپلائر ڈیوائس پیکیج
ISOPLUS247™
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
290W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
1200V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
13A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
630 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
6.5V @ 1mA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
193nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
11100pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±30V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 12906 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IXFR20N120P
IXFR20N120P الیکٹرانک اجزاء
IXFR20N120P سیلز
IXFR20N120P فراہم کنندہ
IXFR20N120P فراہم کنندہ
IXFR20N120P ڈیٹا ٹیبل
IXFR20N120P تصاویر
IXFR20N120P قیمت
IXFR20N120P پیشکش
IXFR20N120P کم ترین قیمت
IXFR20N120P تلاش کریں۔
IXFR20N120P خریداری
IXFR20N120P Chip