IXFQ60N60X
MOSFET N-CH 600V 60A TO3P
حصے کا نمبر
IXFQ60N60X
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
HiPerFET™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Through Hole
پیکیج / کیس
TO-3P-3, SC-65-3
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-3P
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
890W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
600V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
60A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
55 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
4.5V @ 8mA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
143nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
5800pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±30V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 21508 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IXFQ60N60X
IXFQ60N60X الیکٹرانک اجزاء
IXFQ60N60X سیلز
IXFQ60N60X فراہم کنندہ
IXFQ60N60X فراہم کنندہ
IXFQ60N60X ڈیٹا ٹیبل
IXFQ60N60X تصاویر
IXFQ60N60X قیمت
IXFQ60N60X پیشکش
IXFQ60N60X کم ترین قیمت
IXFQ60N60X تلاش کریں۔
IXFQ60N60X خریداری
IXFQ60N60X Chip