IXFN21N100Q
MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B
حصے کا نمبر
IXFN21N100Q
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
HiPerFET™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Chassis Mount
پیکیج / کیس
SOT-227-4, miniBLOC
سپلائر ڈیوائس پیکیج
SOT-227B
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
520W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
1000V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
21A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
500 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
5V @ 4mA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
170nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
5900pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±20V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 45986 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IXFN21N100Q
IXFN21N100Q الیکٹرانک اجزاء
IXFN21N100Q سیلز
IXFN21N100Q فراہم کنندہ
IXFN21N100Q فراہم کنندہ
IXFN21N100Q ڈیٹا ٹیبل
IXFN21N100Q تصاویر
IXFN21N100Q قیمت
IXFN21N100Q پیشکش
IXFN21N100Q کم ترین قیمت
IXFN21N100Q تلاش کریں۔
IXFN21N100Q خریداری
IXFN21N100Q Chip