تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔
IXFK120N30T

IXFK120N30T

MOSFET N-CH 300V 120A TO-264
حصے کا نمبر
IXFK120N30T
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
GigaMOS™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Through Hole
پیکیج / کیس
TO-264-3, TO-264AA
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-264AA (IXFK)
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
960W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
300V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
120A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
24 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
5V @ 4mA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
265nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
20000pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±20V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 41386 PCS
رابطے کی معلومات
کے مطلوبہ الفاظ IXFK120N30T
IXFK120N30T الیکٹرانک اجزاء
IXFK120N30T سیلز
IXFK120N30T فراہم کنندہ
IXFK120N30T فراہم کنندہ
IXFK120N30T ڈیٹا ٹیبل
IXFK120N30T تصاویر
IXFK120N30T قیمت
IXFK120N30T پیشکش
IXFK120N30T کم ترین قیمت
IXFK120N30T تلاش کریں۔
IXFK120N30T خریداری
IXFK120N30T Chip