IXFH23N80Q
MOSFET N-CH 800V 23A TO-247
حصے کا نمبر
IXFH23N80Q
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
HiPerFET™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Through Hole
پیکیج / کیس
TO-247-3
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-247AD (IXFH)
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
500W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
800V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
23A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
420 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
4.5V @ 3mA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
130nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
4900pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±30V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 31572 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IXFH23N80Q
IXFH23N80Q الیکٹرانک اجزاء
IXFH23N80Q سیلز
IXFH23N80Q فراہم کنندہ
IXFH23N80Q فراہم کنندہ
IXFH23N80Q ڈیٹا ٹیبل
IXFH23N80Q تصاویر
IXFH23N80Q قیمت
IXFH23N80Q پیشکش
IXFH23N80Q کم ترین قیمت
IXFH23N80Q تلاش کریں۔
IXFH23N80Q خریداری
IXFH23N80Q Chip