IXFH10N80P
MOSFET N-CH 800V 10A TO-247
حصے کا نمبر
IXFH10N80P
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
HiPerFET™, PolarHT™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Through Hole
پیکیج / کیس
TO-247-3
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-247AD (IXFH)
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
300W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
800V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
10A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
1.1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
5.5V @ 2.5mA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
40nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
2050pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±30V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 9000 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IXFH10N80P
IXFH10N80P الیکٹرانک اجزاء
IXFH10N80P سیلز
IXFH10N80P فراہم کنندہ
IXFH10N80P فراہم کنندہ
IXFH10N80P ڈیٹا ٹیبل
IXFH10N80P تصاویر
IXFH10N80P قیمت
IXFH10N80P پیشکش
IXFH10N80P کم ترین قیمت
IXFH10N80P تلاش کریں۔
IXFH10N80P خریداری
IXFH10N80P Chip