IXFA7N100P
MOSFET N-CH 1000V 7A D2PAK
حصے کا نمبر
IXFA7N100P
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
HiPerFET™, PolarP2™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Surface Mount
پیکیج / کیس
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-263 (IXFA)
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
300W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
1000V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
7A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
6V @ 1mA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
47nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
2590pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±30V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 22849 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IXFA7N100P
IXFA7N100P الیکٹرانک اجزاء
IXFA7N100P سیلز
IXFA7N100P فراہم کنندہ
IXFA7N100P فراہم کنندہ
IXFA7N100P ڈیٹا ٹیبل
IXFA7N100P تصاویر
IXFA7N100P قیمت
IXFA7N100P پیشکش
IXFA7N100P کم ترین قیمت
IXFA7N100P تلاش کریں۔
IXFA7N100P خریداری
IXFA7N100P Chip