Infineon Technologies IRLHS6376TR2PBF MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IRLHS6376TR2PBF

MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN

حصے کا نمبر

IRLHS6376TR2PBF

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

HEXFET®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Cut Tape (CT)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

6-VDFN Exposed Pad

پاور - زیادہ سے زیادہ

1.5W

سپلائر ڈیوائس پیکیج

6-PQFN (2x2)

FET قسم

2 N-Channel (Dual)

FET کی خصوصیت

Logic Level Gate

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

30V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

3.6A

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

63 mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1.1V @ 10µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

2.8nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

270pF @ 25V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 41310 PCS

رابطے کی معلومات