تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔
IRFI4229PBF

IRFI4229PBF

MOSFET N-CH 250V 19A TO-220FP
حصے کا نمبر
IRFI4229PBF
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
HEXFET®
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-40°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Through Hole
پیکیج / کیس
TO-220-3
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-220AB
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
46W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
250V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
19A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
46 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
5V @ 250µA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
110nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
4480pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±30V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 51083 PCS
رابطے کی معلومات
کے مطلوبہ الفاظ IRFI4229PBF
IRFI4229PBF الیکٹرانک اجزاء
IRFI4229PBF سیلز
IRFI4229PBF فراہم کنندہ
IRFI4229PBF فراہم کنندہ
IRFI4229PBF ڈیٹا ٹیبل
IRFI4229PBF تصاویر
IRFI4229PBF قیمت
IRFI4229PBF پیشکش
IRFI4229PBF کم ترین قیمت
IRFI4229PBF تلاش کریں۔
IRFI4229PBF خریداری
IRFI4229PBF Chip