Infineon Technologies IPL60R105P7AUMA1 MOSFET N-CH 4VSON

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IPL60R105P7AUMA1

MOSFET N-CH 4VSON

حصے کا نمبر

IPL60R105P7AUMA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

CoolMOS™ P7

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-40°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

4-PowerTSFN

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-VSON-4

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

137W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

650V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

33A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

105 mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4V @ 530µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

45nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

1952pF @ 400V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 39162 PCS

رابطے کی معلومات