Infineon Technologies IPG20N06S2L65AATMA1 MOSFET 2N-CH 8TDSON

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IPG20N06S2L65AATMA1

MOSFET 2N-CH 8TDSON

حصے کا نمبر

IPG20N06S2L65AATMA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-PowerVDFN

پاور - زیادہ سے زیادہ

43W

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-TDSON-8-10

FET قسم

2 N-Channel (Dual)

FET کی خصوصیت

Logic Level Gate

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

55V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

20A

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

65 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2V @ 14µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

12nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

410pF @ 25V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 18860 PCS

رابطے کی معلومات