Infineon Technologies BSO615CGHUMA1 MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

BSO615CGHUMA1

MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC

حصے کا نمبر

BSO615CGHUMA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

SIPMOS®

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Cut Tape (CT)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

پاور - زیادہ سے زیادہ

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-DSO-8

FET قسم

N and P-Channel

FET کی خصوصیت

Logic Level Gate

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

60V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

3.1A, 2A

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

110 mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2V @ 20µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

22.5nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

380pF @ 25V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 20597 PCS

رابطے کی معلومات