Global Power Technologies Group GSID600A120S4B1 SILICON IGBT MODULES

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

GSID600A120S4B1

SILICON IGBT MODULES

حصے کا نمبر

GSID600A120S4B1

مینوفیکچرر/برانڈ

Global Power Technologies Group

سلسلہ

Amp+™

حصہ کی حیثیت

Active

آپریٹنگ درجہ حرارت

-40°C ~ 150°C

چڑھنے کی قسم

Chassis Mount

پیکیج / کیس

Module

پاور - زیادہ سے زیادہ

3060W

کنفیگریشن

Half Bridge

سپلائر ڈیوائس پیکیج

Module

موجودہ - کلکٹر (آئی سی) (زیادہ سے زیادہ)

1130A

وولٹیج - کلیکٹر ایمیٹر بریک ڈاؤن (زیادہ سے زیادہ)

1200V

موجودہ - کلیکٹر کٹ آف (زیادہ سے زیادہ)

1mA

IGBT قسم

Vce(on) (زیادہ سے زیادہ) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 600A

ان پٹ کیپیسیٹینس (Cies) @ Vce

51nF @ 25V

ان پٹ

Standard

این ٹی سی تھرمسٹر

Yes

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 52309 PCS

رابطے کی معلومات