Diodes Incorporated DMN63D8LDW-13 MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

DMN63D8LDW-13

MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

حصے کا نمبر

DMN63D8LDW-13

مینوفیکچرر/برانڈ

Diodes Incorporated

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

پاور - زیادہ سے زیادہ

300mW

سپلائر ڈیوائس پیکیج

SOT-363

FET قسم

2 N-Channel (Dual)

FET کی خصوصیت

Logic Level Gate

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

30V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

220mA

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

2.8 Ohm @ 250mA, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1.5V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

870nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

22pF @ 25V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 53858 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

DMN6013LFG-13

MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8