Comchip Technology GBJ1010-G BRIDGE DIODE 10A 1000V GBJ

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

GBJ1010-G

BRIDGE DIODE 10A 1000V GBJ

حصے کا نمبر

GBJ1010-G

مینوفیکچرر/برانڈ

Comchip Technology

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

Standard

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

4-SIP, GBJ

سپلائر ڈیوائس پیکیج

GBJ

ڈایڈڈ کی قسم

Single Phase

وولٹیج - چوٹی ریورس (زیادہ سے زیادہ)

1kV

موجودہ - اوسط اصلاح شدہ (Io)

10A

وولٹیج - فارورڈ (Vf) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر

1.05V @ 5A

کرنٹ - ریورس لیکیج @ Vr

10µA @ 1000V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 54402 PCS

رابطے کی معلومات