Comchip Technology CDBDSC10650-G DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

CDBDSC10650-G

DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO

حصے کا نمبر

CDBDSC10650-G

مینوفیکچرر/برانڈ

Comchip Technology

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

سپلائر ڈیوائس پیکیج

D-PAK (TO-252)

ڈایڈڈ کی قسم

Silicon Carbide Schottky

موجودہ - اوسط اصلاح شدہ (Io)

33A (DC)

وولٹیج - فارورڈ (Vf) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر

1.7V @ 10A

کرنٹ - ریورس لیکیج @ Vr

100µA @ 650V

وولٹیج - DC ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ)

650V

رفتار

No Recovery Time > 500mA (Io)

ریورس ریکوری ٹائم (trr)

0ns

آپریٹنگ درجہ حرارت - جنکشن

-55°C ~ 175°C

Capacitance @ Vr، F

690pF @ 0V, 1MHz

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 39191 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

CDBD10100-G

DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK